近期路透社曾報道，韓國存儲芯片大廠SK海力士在江蘇無錫工廠引進EUV光刻機的計劃可能面臨擱淺，原因是美國方面反對EUV光刻機這類先進設(shè)備進入中國大陸。

這一問題之前在SK海力士內(nèi)部引起了相當程度的關(guān)注，以至于CEO李錫熙在7月訪問華盛頓期間向美國官員提出了相關(guān)關(guān)切，不過短期來看阻力顯然不小。李錫熙在11月22日的一場活動上表示，（基于EUV的）第四代DRAM芯片從7月開始在韓國生產(chǎn)，要在我們的中國工廠應用相同的技術(shù)還有很長的路要走，將在與相關(guān)方面合作的同時明智地應對此事。

此前SK海力士宣布斥資約43億美元在未來5年內(nèi)持續(xù)從阿斯麥采購EUV光刻機，其在韓國本土的工廠已經(jīng)引進EUV光刻技術(shù)，并于去年7月開始成功量產(chǎn)基于EUV的10nm第四代DRAM芯片；計劃引入無錫工廠的EUV光刻機也將用于生產(chǎn)10nm DRAM芯片。

據(jù)悉，SK海力士在無錫工廠所生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存芯片占其產(chǎn)量的約一半，占全球總產(chǎn)量的15%，因此設(shè)備升級受阻或?qū)κ袌霎a(chǎn)生重大影響，也將使SK海力士在與三星、美光的競爭中處于劣勢。

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